IRF6645
100.0
1000
10.0
TJ = 150°C
TJ = 25°C
TJ = -40°C
100
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS (on)
100μsec
10
1.0
1msec
0.1
VGS = 0V
1
0.1
TA = 25°C
Tj = 150°C
Single Pulse
10msec
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
0.1
1.0
10.0
100.0
1000.0
VSD , Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 10. Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
6.0
5.0
4.0
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
Fig11. Maximum Safe Operating Area
6.0
5.5
5.0
4.5
3.0
2.0
1.0
0.0
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
I D = 1.0A
I D = 1.0mA
I D = 250μA
I D = 50μA
25
50
75
100
125
150
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
TJ , Ambient Temperature (°C)
Fig 12. Maximum Drain Current vs. Ambient Temperature
120
100
80
60
40
20
0
TJ , Temperature ( °C )
Fig 13. Typical Threshold Voltage vs.
Junction Temperature
ID
TOP 1.5A
2.4A
BOTTOM 3.4A
25
50
75
100
125
150
Starting TJ, Junction Temperature (°C)
Fig 14. Maximum Avalanche Energy vs. Drain Current
www.irf.com
5
相关PDF资料
IRF6655TR1 MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SH
IRF6665TR1 MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SH
IRF6668TR1 MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET-MZ
IRF710STRLPBF MOSFET N-CH 400V 2.0A D2PAK
IRF7201TR MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
IRF7204 MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
IRF7207TR MOSFET P-CH 20V 5.4A 8-SOIC
IRF720 MOSFET N-CH 400V 3.3A TO-220AB
相关代理商/技术参数
IRF6645PBF 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:DirectFETPower MOSFET 
IRF6645TR1 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R
IRF6645TR1PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 25A 35mOhm 14nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6645TR1PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET 制造商:International Rectifier 功能描述:N MOSFET, 100V, 4.5A, DIRECTFET SJ
IRF6645TRPBF 功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET SJ RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6646 功能描述:MOSFET 80V 1 N-CH HEXFET 9.5mOhms 36nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6646#PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:PN may be NE DW
IRF6646PBF 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:DirectFETPower MOSFET